北京研精毕智信息咨询有限公司

一、芯片（原材料/存储芯片/应用领域）

1、SK海力士开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘“PS1012 U.2”

12月18日，SK海力士宣布，开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘（SSD，Solid State Drive）产品‘PS1012 U.2*（以下简称PS1012）’。PS1012采用了最新的第五代PCIe*，与基于第四代的产品相比其带宽增大了一倍。因此，数据传输速度可达32GT/s**（千兆传输/秒），顺序读取性能是以前一代规格产品的两倍，可达13GB/s（千兆字节/秒）。

2、国家集成电路创新中心河南分中心在此地揭牌

12月17日，国家集成电路创新中心河南分中心在开封揭牌，推动开封更好落实省委“创新驱动、科教兴省、人才强省”战略，构建具有全国影响力的集成电路产业集群，开创新兴产业培育新局面。

国家集成电路创新中心围绕集成电路产业发展，致力于建设集成电路共性技术平台、集成电路共性技术支撑平台、国际合作和人才培养平台，重点做好技术开发、测试验证、中试孵化、成果转化、投融资和人才培养六大任务。国家集成电路创新中心将扎实推进合作项目建设，积极拓展合作领域，服务行业发展，为开封集成电路产业发展贡献更大力量。

3、中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展

据市场调研发现，12月17日，上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。

上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术，在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78 arcsec，表面粗糙度为0.35 nm；金刚石/氧化镓异质界面过渡层厚度小于2 nm，界面热阻为21.7 m2·K/GW，为目前已报道最优值。

基于此制备的射频器件性能和散热能力得到显著提升，器件开态饱和电流高达810 mA/mm，最大振荡频率去嵌前达到61 GHz，为目前报道最高值；相同功率下，器件结区最高温度相比氧化镓同质器件降低250℃，散热能力提升11倍，器件热阻仅为5.52W·mm/K，极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制，还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。

二、政策梳理

中共中央办公厅、国务院办公厅联合发布关于数字贸易改革创新发展的意见

【中共中央办公厅、国务院办公厅联合发布《关于数字贸易改革创新发展的意见》】11月28日，中共中央办公厅、国务院办公厅联合发布《关于数字贸易改革创新发展的意见》，《意见》提出，加强数字技术研发支持，促进成果转化及与其他行业的融合创新发展。充分发挥服务贸易创新发展引导基金作用，带动社会资本投资数字贸易领域。加强数字贸易相关培训，提高领导干部专业素质。发挥数字贸易专家作用，加强相关理论与实践研究。支持高等学校设置数字贸易相关学科。创新数字贸易人才培养模式，加强拔尖创新人才培养，深化校企、政企合作，支持企业加强专业人才培训。

北京研精毕智信息咨询有限公司（XYZResearch），系国内领先的行业和企业研究服务供应商，并荣膺CCTV中视购物官方合作品牌。公司秉持助力企业实现商业决策高效化的核心宗旨，依托十年行业积累，深度整合企业研究、行业研究、数据定制、消费者调研、市场动态监测等多维度服务模块，同时组建由业内资深专家构成的专家库，打造一站式研究服务体系。瞭原咨询凭借先进方法论、丰富的案例与数据，精准把脉市场趋势，为企业提供权威的市场洞察及战略导向。

一、芯片（原材料/存储芯片/应用领域）
1、SK海力士开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘“PS1012 U.2”
2、国家集成电路创新中心河南分中心在此地揭牌
3、中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展
二、政策梳理
中共中央办公厅、国务院办公厅联合发布关于数字贸易改革创新发展的意见