芯片企业动态监测调研报告（2025年1月）-研精毕智调研报告网

概述

调研大纲

一、联想

1、高德地图与联想百应推出一键直达专业电脑服务

12月10日，联想百应服务门店将入驻高德地图，为用户提供全方位电脑服务，并联合高德发起“安心服务”计划，提升服务口碑与能力。

2、联想 YOGA Pad Pro 平板获推 OTA0：修复系统省电模式问题

12月10日，联想 ZUI 官方宣布，YOGA Pad Pro 平板 OTA0 正式开启推送。

本次 OTA 的版本号为 1.0.12.02，主要更新内容如下：修复系统省电模式问题；修复抖音稳定性问题；优化蓝牙耳机兼容问题；优化超级互联投屏和连接兼容性；优化手写笔充电体验和功耗；更新 Google 安全补丁；优化系统稳定性等其他 bug。

3、联想集团与弘信电子集团签署战略合作协议

12月6日，联想集团与弘信电子集团在北京联想总部举行战略合作协议签署仪式。双方宣布将在AI算力建设和智能化转型领域的合作迈上新台阶，将共同推动AI城市大脑、智能云解决方案及智能化转型全周期服务，为数字经济发展增添新动力。

4、业内首款IT服务智能体联想百应正式发布，三大AI应用+五大技术能力

12月4日，联想集团发布业内首款面向中小企业的IT服务智能体——联想百应智能体，基于擎天智能IT引擎(擎天3.0)，具备五大技术能力，首推三大AI应用，助力中小企业开源、增效、降本。

5、联想小新 Pad Pro 12.7 平板 2025 款获推 ZUI 16.0.20.041 稳定版：新增 TypeC 联网等功能

11月25日，联想小新PadPro12.7平板2025款获推ZUI16.0.20.041稳定版系统升级，支持TypeC联网等新功能，并修复了CPU定频问题，提升了游戏性能。

二、VIVO

1、vivo发布千元新机，三扬声器+6500mAh+OLED直屏，1399元起售

12月17日，vivo推出Y300新机，主打超强外放超长续航，搭载6500mAh电池、1326D扬声器、6.77英寸120Hz屏，定价1399元起，外观精致，续航出众，适合重设计轻性能用户。

vivo Y300拥有四个产品核心设计，分别是超美外观、超强外放、超长续航以及超级品质，基于OLED超亮护眼屏、新一代超级扬声器、6500mAh超薄蓝海电池以及SGS五星整机抗摔认证，将为用户带来出色的使用体验。

2、vivo印度公司与迪克森成立合资企业，承接部分智能手机OEM订单

12月16日，印度迪克森科技公司（Dixon Technologies）发布声明，该公司已与印度vivo移动公司签署了一份具有约束力的条款书，将在印度成立一家合资企业，作为包括智能手机在内的电子设备的原始设备制造商。迪克森将持有合资公司51%的股份，而vivo将持有剩余股份。该工厂将处理一部分vivo印度公司的OEM智能手机订单，也可能为其它品牌生产电子产品。

3、三大蓝科技加满，“满血双芯战神”iQOO Neo10系列发布

11月29日，“满血双芯战神”iQOO Neo10系列正式发布，到手价2299元起。Neo10系列配置做到旗舰战力应配尽配，更有蓝晶芯片技术栈、蓝海续航系统和蓝心大模型三大蓝科技加持，堪称“同档更为领先的双芯游戏性能旗舰”。iQOO Neo系列行业首发“双芯”以来，三年引领带来更为出色的超分超帧手机游戏体验，奠定“双芯标杆看iQOO”的行业地位，目前Neo系列用户规模已超2000万，处于行业领先地位。

4、vivo影像加获奖佳作再登集美·阿尔勒国际摄影季

11月29日，第十届集美·阿尔勒国际摄影季在厦门集美区盛大启幕。作为首席影像伙伴，vivo再携vivo影像加作品展（以下简称“影展”）精彩亮相。该影展于2024年11月29日至2025年1月12日在集美艺术中心对外展出，汇聚vivo影像加手机摄影大赛的获奖佳作，通过每一幅承载创作者情感、故事与思考的影像作品，呈现独具时代特质的人文画卷。摄影季开幕当日，vivo于三影堂厦门摄影艺术中心特别举办vivo影像加主题论坛，邀请中国文联副主席、中国摄影家协会主席李舸，人像摄影师、vivo影像加手机摄影大赛评委肖全，三影堂摄影艺术中心联合创办人荣荣，vivo影像加创作者大萌及vivo影像产品高级总监李卓共聚一堂，围绕移动影像创作的人文内核及创作边界展开探讨。

5、vivo S20系列正式发布

11月28日，vivo正式发布vivo S20系列新机。作为vivo美学旗舰的最新代表作，vivo S20系列外观、人像、续航、性能全面升级，打造旗舰级用户体验。其中，vivo S20将于12月6日开售；vivo S20 Pro将于12月12日开售。

三、圣邦股份

1、圣邦微电子取得微功耗的电平翻转电路及降低电路中瞬态电流的方法专利

1月8日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司取得一项名为“微功耗的电平翻转电路及降低电路中瞬态电流的方法”的专利，授权公告号 CN 114070297 B ，申请日期为 2020年8月。

圣邦微电子（北京）股份有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本47198.0615万人民币，实缴资本46948.74万人民币。通过天眼查大数据分析，圣邦微电子（北京）股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目25次，知识产权方面有商标信息50条，专利信息911条，此外企业还拥有行政许可5个。

2、圣邦股份：1月6日获融资买入832.81万元

1月6日，圣邦股份获融资买入832.81万元，占当日买入金额的6.84%，当前融资余额5.07亿元，占流通市值的1.49%，超过历史90%分位水平，两融余额较昨日下滑0.49%。

3、圣邦微电子取得端口复用电路及电子设备专利

1月4日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司取得一项名为“端口复用电路及电子设备”的专利，授权公告号CN 114337639 B，申请日期为2020年9月。

4、圣邦微电子申请芯片工作模式确定电路专利，控制芯片工作模式

12月26日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司申请一项名为“芯片工作模式确定电路”的专利，公开号CN 119179371 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供的芯片工作模式确定电路，包括：周期分割模块，将接收的初始时钟信号进行周期分割得到N 个关联时钟信号；RC放电模块，在第N个关联时钟信号由低电平变为高电平时，电容放电；功能电压产生模块，根据电容的第一电压确定第一电流，根据第一电流和外接电阻确定功能节点的第二电压；比较模块，根据第二电压和基准电压的关系，输出第一电平信号至时钟状态锁存模块；时钟状态锁存模块，在比较模块输出的第一电平信号为高电平时，控制时钟状态锁存模块将初始时钟信号和N个关联时钟信号锁存，以及根据锁存的初始时钟信号和N个关联时钟信号确定芯片的工作模式。

5、圣邦股份在上海成立微电子新公司

12月16日，圣邦股份在上海成立全资子公司上海圣邦骏盈微电子有限公司，注册资本3000万元，经营范围包含集成电路设计、销售及服务等。

四、中芯国际

1、中芯国际：1月8日获融资买入8.23亿元

1月8日，中芯国际获融资买入8.23亿元，占当日买入金额的26.82%，当前融资余额77.78亿元，占流通市值的4.4%，超过历史90%分位水平，两融余额77.99亿元，较昨日下滑0.66%，但余额仍超过历史70%分位水平。

2、中芯国际：1月7日获融资买入7.99亿元，占当日流入资金比例24.96%

1月7日，中芯国际获融资买入7.99亿元，占当日买入金额的24.96%，当前融资余额78.30亿元，占流通市值的4.35%，超过历史90%分位水平，两融余额较昨日上升0.92%，余额超过历史70%分位水平。

3、中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低目标层相对介电常数

12月26日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119181672 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，半导体结构包括：提供基底，基底上形成有待沉积结构；在待沉积结构上沉积目标层，目标层的材料含有Si元素、C元素和N元素；对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括含有SiC和SiCN。本发明对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括SiC和SiCN，由于SiC成键结构的键合极性较小，因而降低了目标层的相对介电常数的值，相应也减小了寄生电容；而且C元素有利于提高目标层的抗刻蚀能力，N元素有利于提高目标层的机械强度，从而在降低目标层的相对介电常数的同时，提高了目标层的耐刻蚀性和机械性能。

4、中芯国际申请光电传感器及其形成方法等专利，光电传感器的性能得到提升

12月25日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“光电传感器及其形成方法、图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN 119170613 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种光电传感器及其形成方法、图像传感器及其形成方法，光电传感器包括：衬底，所述衬底包括感光区和环绕所述感光区的隔离区；位于感光区内的感光结构；位于衬底上的光波导结构；位于隔离区内和光波导结构内的隔离沟槽，所述隔离沟槽环绕所述感光区，所述隔离沟槽包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第二部分位于所述光波导结构内，所述第一部分位于所述隔离区内；位于第二部分侧壁的反射层；位于隔离沟槽内的隔离结构，所述隔离结构还位于所述反射层表面，所述反射层材料的折射率小于隔离结构材料的折射率。

5、中芯国际申请闪存结构及其形成方法专利，提高所形成的闪存结构的擦除效率

据市场调研发现，12月23日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“闪存结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119156008 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种闪存结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构，所述两个存储结构之间具有开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，各所述浮栅具有所述开口暴露出的第一侧壁，所述第一侧壁呈波纹结构，所述波纹结构包括若干凸起部，所述若干凸起部在垂直于所述衬底表面方向上排布，所述凸起部的底部尺寸大于顶部尺寸；位于所述开口内的擦除栅结构；分别位于所述存储栅结构和擦除栅结构两侧的字线结构，提高所形成的闪存结构的擦除效率。

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