芯片行业动态监测调研报告（2025年1月）-研精毕智调研报告网

概述

调研大纲

一、芯片行业投融资动态

1、智平方完成数亿人民币Pre-A轮融资

1月7日，智平方完成数亿人民币Pre-A轮融资，投资方为达晨财智、基石资本、敦鸿资产。智平方成立于2023年，公司总部位于中国广东省，是一家智能机器人研发商。

2、小雨智造完成A+轮融资

1月7日，小雨智造完成A+轮融资。小雨智造成立于2023年，公司总部位于中国北京市，是一家工业机器人制造商。

3、历正科技完成数亿人民币C轮融资

1月6日，历正科技完成数亿人民币C轮融资，投资方为元璟资本、广发信德投资、河南农业开发。历正科技成立于2018年，公司总部位于中国北京市，是一家无人机防御系统研发商。

4、大漠大智控完成数亿人民币A轮融资

1月6日，大漠大智控完成数亿人民币A轮融资，投资方为同创伟业、招银国际、深圳高新投、湖南财鑫集团、招商局创投。大漠大智控成立于2016年，公司总部位于中国广东省，是一家无人机飞行控制系统及集群编队技术研发商。

二、月度重要政策动态

1、最高法发布以高质量审判服务保障科技创新的意见

【最高人民法院发布《最高人民法院关于以高质量审判服务保障科技创新的意见》】1月6日，最高人民法院发布《最高人民法院关于以高质量审判服务保障科技创新的意见》，其中提出，《意见》要求加强科技创新成果司法保护，助力因地制宜发展新质生产力。《意见》第二部分落实党的二十届三中全会提出的“健全因地制宜发展新质生产力体制机制”要求，共涉及6条28项具体举措。主要包括两项制度方面的举措，即实施确保司法保护强度与科技创新程度相协调的司法政策，完善专利授权确权行政诉讼审理标准。同时，还从工业设计、数字经济、商业秘密、重点领域四个方面提出了科技创新成果的司法保护规则。

2、《深圳市龙华区关于支持半导体与集成电路产业发展若干措施》发布

【广东省深圳市龙华区人民政府办公室发布《深圳市龙华区关于支持半导体与集成电路产业发展若干措施》】12月16日，广东省深圳市龙华区人民政府办公室发布《深圳市龙华区关于支持半导体与集成电路产业发展若干措施》，其中提出，支持半导体与集成电路设计。

（一）支持EDA购买。对购买国产化EDA设计工具软件（含软件升级费用）开展芯片研发的企业，按照上年度实际支出费用的15%给予每年最高100万元的资助。

（二）支持IP购买。对购买国产化IP开展芯片研发的企业，按照上年度实际支出费用的30%给予每年最高100万元的资助。

（三）开展MPW（多项目晶圆）项目。对开展MPW流片的企业，按照上年度MPW流片费用的50%给予每年最高100万元的资助。

（四）首次工程流片。对开展首次工程流片的企业，按照上年度首次工程流片费用的20%给予每年最高100万元的资助。

本条政策年度资助总金额最高1500万元。

3、江苏出台14条措施，实施现代高科技服务业倍增行动

【江苏省科学技术厅、省发展和改革委员会联合发布《关于加快培育壮大现代高科技服务业的若干政策措施》】12月5日，江苏省科学技术厅、省发展和改革委员会联合发布《关于加快培育壮大现代高科技服务业的若干政策措施》，新出台的14条政策措施，涉及大力培育领军企业、积极构建产业集群和打造产业发展生态等3个方面。

为大力培育领军企业，江苏将采取“做优做强头部公司”“培育壮大隐形冠军”“开展‘小升高’行动”“孵化新业态新模式”等4条措施，分类分级给予企业政策支持。概括而言，既积极招引国内外头部科技服务业企业在苏设立区域总部、功能性总部；也引导省内科技服务业企业通过交叉持股、并购重组以及战略合作等方式，提升发展能级，打造服务品牌；还鼓励新型研发机构、高新园区、各类孵化器以及大学科技园等，培育未来产业领域的科技服务业企业。

4、重庆出台专项措施支持具身智能机器人产业创新发展

【重庆市经济信息委、市科技局、市市场监管局、市人力社保局、市教委、市国资委、市商务委等七部门联合发布《重庆市支持具身智能机器人产业创新发展若干政策措施》】12月4日，重庆市经济信息委、市科技局、市市场监管局、市人力社保局、市教委、市国资委、市商务委等七部门联合发布《重庆市支持具身智能机器人产业创新发展若干政策措施》，其中提出，支持具身智能机器人企业牵头组建产业研究院、产业创新综合体、制造业创新中心，支持相关企业、科研机构、高等院校在结构学与机器人设计、环境交互与自主控制、人机协作与群体智能、虚拟仿真与虚实转换等方面新建一批企业技术中心、产业技术工程化中心、重点实验室、概念验证中心等创新平台。

三、行业内头部企业动态

1、圣邦股份

圣邦微电子取得微功耗的电平翻转电路及降低电路中瞬态电流的方法专利

1月8日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司取得一项名为“微功耗的电平翻转电路及降低电路中瞬态电流的方法”的专利，授权公告号 CN 114070297 B ，申请日期为 2020年8月。

圣邦微电子（北京）股份有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本47198.0615万人民币，实缴资本46948.74万人民币。通过天眼查大数据分析，圣邦微电子（北京）股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目25次，知识产权方面有商标信息50条，专利信息911条，此外企业还拥有行政许可5个。

圣邦股份：1月6日获融资买入832.81万元

1月6日，圣邦股份获融资买入832.81万元，占当日买入金额的6.84%，当前融资余额5.07亿元，占流通市值的1.49%，超过历史90%分位水平，两融余额较昨日下滑0.49%。

圣邦微电子取得端口复用电路及电子设备专利

1月4日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司取得一项名为“端口复用电路及电子设备”的专利，授权公告号CN 114337639 B，申请日期为2020年9月。

圣邦微电子申请芯片工作模式确定电路专利，控制芯片工作模式

12月26日，国家知识产权局信息显示，圣邦微电子（北京）股份有限公司申请一项名为“芯片工作模式确定电路”的专利，公开号CN 119179371 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供的芯片工作模式确定电路，包括：周期分割模块，将接收的初始时钟信号进行周期分割得到N 个关联时钟信号；RC放电模块，在第N个关联时钟信号由低电平变为高电平时，电容放电；功能电压产生模块，根据电容的第一电压确定第一电流，根据第一电流和外接电阻确定功能节点的第二电压；比较模块，根据第二电压和基准电压的关系，输出第一电平信号至时钟状态锁存模块；时钟状态锁存模块，在比较模块输出的第一电平信号为高电平时，控制时钟状态锁存模块将初始时钟信号和N个关联时钟信号锁存，以及根据锁存的初始时钟信号和N个关联时钟信号确定芯片的工作模式。

圣邦股份在上海成立微电子新公司

12月16日，圣邦股份在上海成立全资子公司上海圣邦骏盈微电子有限公司，注册资本3000万元，经营范围包含集成电路设计、销售及服务等。

2、中芯国际

中芯国际：1月8日获融资买入8.23亿元

1月8日，中芯国际获融资买入8.23亿元，占当日买入金额的26.82%，当前融资余额77.78亿元，占流通市值的4.4%，超过历史90%分位水平，两融余额77.99亿元，较昨日下滑0.66%，但余额仍超过历史70%分位水平。

中芯国际：1月7日获融资买入7.99亿元，占当日流入资金比例24.96%

1月7日，中芯国际获融资买入7.99亿元，占当日买入金额的24.96%，当前融资余额78.30亿元，占流通市值的4.35%，超过历史90%分位水平，两融余额较昨日上升0.92%，余额超过历史70%分位水平。

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低目标层相对介电常数

12月26日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119181672 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，半导体结构包括：提供基底，基底上形成有待沉积结构；在待沉积结构上沉积目标层，目标层的材料含有Si元素、C元素和N元素；对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括含有SiC和SiCN。本发明对目标层进行热退火处理，使目标层的材料重新成键以形成成键结构，成键结构包括SiC和SiCN，由于SiC成键结构的键合极性较小，因而降低了目标层的相对介电常数的值，相应也减小了寄生电容；而且C元素有利于提高目标层的抗刻蚀能力，N元素有利于提高目标层的机械强度，从而在降低目标层的相对介电常数的同时，提高了目标层的耐刻蚀性和机械性能。

中芯国际申请光电传感器及其形成方法等专利，光电传感器的性能得到提升

12月25日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“光电传感器及其形成方法、图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN 119170613 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种光电传感器及其形成方法、图像传感器及其形成方法，光电传感器包括：衬底，所述衬底包括感光区和环绕所述感光区的隔离区；位于感光区内的感光结构；位于衬底上的光波导结构；位于隔离区内和光波导结构内的隔离沟槽，所述隔离沟槽环绕所述感光区，所述隔离沟槽包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第二部分位于所述光波导结构内，所述第一部分位于所述隔离区内；位于第二部分侧壁的反射层；位于隔离沟槽内的隔离结构，所述隔离结构还位于所述反射层表面，所述反射层材料的折射率小于隔离结构材料的折射率。

中芯国际申请闪存结构及其形成方法专利，提高所形成的闪存结构的擦除效率

据市场调研发现，12月23日，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“闪存结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119156008 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种闪存结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构，所述两个存储结构之间具有开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，各所述浮栅具有所述开口暴露出的第一侧壁，所述第一侧壁呈波纹结构，所述波纹结构包括若干凸起部，所述若干凸起部在垂直于所述衬底表面方向上排布，所述凸起部的底部尺寸大于顶部尺寸；位于所述开口内的擦除栅结构；分别位于所述存储栅结构和擦除栅结构两侧的字线结构，提高所形成的闪存结构的擦除效率。

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